ট্রান্সফরমার: সেরা দক্ষতার জন্য 5 গুরুত্বপূর্ণ শর্ত

ট্রান্সফরমার

ট্রান্সফর্মার একটি সাধারণ বৈদ্যুতিক ডিভাইস, যা পারস্পরিক আবেশন সম্পত্তিটি একটি বিকল্প থেকে ভোল্টেজকে এক থেকে অন্য বা ছোট মানের পরিবর্তিত করতে ব্যবহার করে।

সার্জারির  প্রথম ধ্রুবক-সম্ভাব্য একটি 1885 সালে উদ্ভাবিত হয়েছিল, এবং তখন থেকে, এটি বিকল্প কারেন্ট (এসি) সংক্রমণ, বিতরণ এবং ব্যবহারের জন্য প্রয়োজনীয় ডিভাইস হিসাবে প্রয়োজনীয়তা হয়ে দাঁড়িয়েছে।

বিভিন্ন বৈদ্যুতিন এবং বৈদ্যুতিক শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত বিভিন্ন ডিজাইনযুক্ত ট্রান্সফর্মার রয়েছে। তাদের আকারগুলি রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন থেকে একটি ঘন সেন্টিমিটারের চেয়ে কম পরিমাণের ভলিউমযুক্ত, পাওয়ার গ্রিডে ব্যবহৃত শত শত টন ওজনের বিশাল ইউনিট পর্যন্ত।

এগুলি থেকে ভোল্টেজ আউটপুট ধাপে ধাপে দীর্ঘ দূরত্বে শক্তি সঞ্চালন এবং বিতরণে সর্বাধিক ব্যবহৃত হয় ট্রান্সফরমার যাতে কারেন্ট কমে যায় এবং পরবর্তীকালে, রেজিস্টিভ কোর লস কম তাৎপর্যপূর্ণ হয়, তাই ভোল্টেজকে আবার ব্যবহার করার জন্য ভোল্টেজ নামিয়ে দেওয়া হয় এমন গ্রাহকদের কাছে সংলগ্ন সাবস্টেশনে দূরত্বের মাধ্যমে সংকেত স্থানান্তর করা যেতে পারে।

ট্রান্সফর্মার এর বেসিক স্ট্রাকচার এবং ওয়ার্কিং

ট্রান্সফর্মারের মূল কাঠামোটিতে সাধারণত একটি নরম লোহার কোরের চারপাশে ক্ষতস্থ দুটি কয়েল থাকে, যথা প্রাথমিক ও মাধ্যমিক কয়েল। এসি ইনপুট ভোল্টেজটি প্রাথমিক কয়েলে প্রয়োগ করা হয় এবং এসি আউটপুট ভোল্টেজটি মাধ্যমিক দিকে পরিলক্ষিত হয়। 

যেমন আমরা জানি যে একটি প্ররোচিত emf বা ভোল্টেজ তখনই তৈরি হয় যখন কয়েল বা সার্কিটের সাপেক্ষে চৌম্বক ক্ষেত্রের প্রবাহ পরিবর্তন হয়, তাই, পারস্পরিক আবেশাঙ্ক দুটি কয়েলের মধ্যে শুধুমাত্র একটি অল্টারনেটিং, অর্থাৎ পরিবর্তন/এসি ভোল্টেজের মাধ্যমে সম্ভব, এবং সরাসরি নয়, যেমন স্থির/ডিসি ভোল্টেজ।

সার্জারির ট্রান্সফরমার ভোল্টেজ ট্রান্সমিউট করতে ব্যবহৃত হয় এবং আউটপুট কয়েল বাঁক ইনপুট অনুপাত অনুযায়ী বর্তমান স্তর. প্রাথমিক এবং মাধ্যমিক কয়েলের বাঁকগুলি হল N_p এবং এন_sযথাক্রমে আসুন প্রাথমিক এবং মাধ্যমিক উভয় কয়েল দিয়েই প্রবাহিত হোন। তারপরে,

প্রাথমিক কুণ্ডলী জুড়ে প্ররোচিত এমএফ,   =

গৌণ কুণ্ডলী জুড়ে প্ররোচিত এমএফ,  = 

এই সমীকরণগুলি থেকে, আমরা এটি সম্পর্কিত করতে পারি  

যেখানে প্রতীকগুলির নিম্নলিখিত অর্থ রয়েছে:

         

শক্তি, পি = আমি_pV_p = আমি_sV_s

পূর্ববর্তী সমীকরণের সাথে সম্পর্কিত,

এইভাবে আমাদের ভি_s = ()V_P  এবং আমি_s = I_P

পদক্ষেপের জন্য: V_s > ভি_p পুত্র_s>N_p এবং আমি_s<I_p

পদত্যাগের জন্য: V_s <V_p পুত্র_s <এন_p এবং আমি_s > আমি_p

একটি ট্রান্সফর্মারে প্রাথমিক এবং মাধ্যমিক কয়েল

উপরোক্ত সম্পর্কটি কয়েকটি অনুমানের উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয়েছে, যা নিম্নরূপ:

• একই প্রবাহ কোনও প্রবাহের ফুটো ছাড়াই প্রাথমিক ও মাধ্যমিক উভয়কেই সংযুক্ত করে।
• গৌণ কারেন্টটি ছোট is
• প্রাথমিক প্রতিরোধের এবং বর্তমান নগণ্য।

সুতরাং, ট্রান্সফর্মার দক্ষতা 100% হতে পারে না। যদিও একটি সু-নকশাকৃত ব্যক্তির দক্ষতা 95% পর্যন্ত থাকতে পারে। উচ্চ দক্ষতা থাকার জন্য এটির শক্তি হ্রাসের প্রধান চারটি কারণ মনে রাখা উচিত।

ট্রান্সফর্মার শক্তি হ্রাসের কারণ:

• ফ্লাক্স ফুটো: প্রাইমারী থেকে শুরু করে কোনও ফুটো ছাড়াই মাধ্যমিক পাস করা প্রায় সমস্ত প্রবাহের পক্ষে প্রায় অসম্ভব হিসাবে কিছু ফ্লাক্স ফুটো থাকে।
• ঘূর্ণাবর্ত স্রোত: পরিবর্তিত চৌম্বকীয় প্রবাহ লোহার কোরে এডি স্রোত প্ররোচিত করবে, যা উত্তাপের কারণ হতে পারে এবং তাই শক্তির ক্ষতি হতে পারে। একটি স্তরিত লোহার কোর ব্যবহার করে এগুলি হ্রাস করা যেতে পারে।
• ঘূর্ণায়মান প্রতিরোধ: তারের মাধ্যমে তাপ অপচয় হ্রাস আকারে শক্তি হারিয়ে যায় তবে তুলনামূলক ঘন তারের ব্যবহার দ্বারা হ্রাস করা যেতে পারে।
• hysteresis: যখন কোরটির চৌম্বকীয়করণটি বারবার পরিবর্তিত চৌম্বকীয় ক্ষেত্র দ্বারা বিপরীত হয়, তখন এটি মূলটির অভ্যন্তরে তাপের উত্পন্ন করে ব্যয় বা শক্তি হ্রাস করে। চৌম্বকীয় হিস্টেরিসিসের ক্ষতি হ্রাসযুক্ত উপকরণগুলি ব্যবহার করে এটি হ্রাস করা যায়।

আমরা সম্পর্কে অধ্যয়ন করা হবে এডি কারেন্টএস এবং চৌম্বকীয় হিস্টেরিসিস পরবর্তী বিভাগে বিশদ।

আরও বেশি ইলেক্ট্রনিক্স সম্পর্কিত স্টাডি উপাদান জন্য এখানে ক্লিক করুন